삼성 비장의 카드인데... 엔비디아가 제동 | 핵심 층을 TSMC에서? 3나노 베이스다이 요구 보도 | 메모리 주문하던 엔비디아, 만드는 방식까지 정한다

엔비디아가 맞춤형 HBM의 베이스다이에 TSMC 3나노 공정을 요구했다는 보도가 나왔습니다. D램부터 파운드리, 패키징까지 한꺼번에 제공하려던 삼성에는 새로운 조건이 생긴 셈입니다. 이번 영상에서는 이 요구가 삼성의 통합 공급 전략에 어떤 의미인지 살펴봅니다.

HBM 위쪽의 저장용 D램과 아래쪽 베이스다이의 역할을 나누고, NVHBM에서 메모리 컨트롤러가 이동하는 이유를 설명합니다. 엔비디아의 설계 역할과 보도된 TSMC의 제조 역할도 구분합니다. GPU와 패키징의 연결 조건을 함께 맞추는 이점, 다른 공정으로 옮길 때 설계 조정과 재검증이 필요한 이유를 짚어봅니다. 더 낮은 8단 구성을 요구했다는 보도를 통해 메모리 용량과 대역폭, 실제 공급량의 차이도 정리합니다.

고객이 공통 조건을 정하더라도 메모리 업체들의 전력·발열·적층 기술과 수율 경쟁은 계속됩니다. 삼성의 자체 4나노 활용과 2나노 대안 공정 검증 보도는 제품별로 나눠 다룹니다. 앞으로 HBM 수주를 볼 때 물량과 함께 설계 주도권과 제조 경로를 확인해야 하는 이유를 이야기합니다.

Written by 패치
Edited by 이재현

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