CXMT 현 상황 완벽 정리. 삼성은 이미 17년 전 만들었다는... 4F², CXMT 진짜 양산 가능한가 | 2년 앞서 양산하는 4F² D램, 속사정

중국 CXMT가 삼성보다 2년 먼저 4F² D램을 내놓겠다는 소식이 전해졌습니다.
그런데 삼성은 이미 2009년에 수직 트랜지스터를 적용한 4F² D램 테스트 칩을 구현했습니다.
오래전에 작동까지 확인한 기술이 지금도 차세대 기술로 불리는 이유는 무엇일까요?

이번 영상에서는 트랜지스터를 수직으로 세웠을 때 발생하는 누설전류와 셀 간 특성 편차를 살펴봅니다.
작은 데이터 신호를 방해하는 배선 간섭과 실제 제조 과정에서 발견된 금속 잔류물 문제도 짚어봅니다.
CXMT의 정션리스 GAA 연구와 삼성의 배선 산화 방지 기술을 통해 각 기업의 해결 방향을 알아봅니다.
삼성이 발표한 16기가비트 테스트 칩과 셀·주변 회로를 연결하는 하이브리드 본딩도 함께 설명합니다.

셀 면적을 줄여도 수율과 공정 비용에 따라 정상 칩 하나의 원가는 오히려 높아질 수 있습니다.
중국의 첨단 장비 확보 제약이 새로운 셀 구조에 도전하는 배경과 어떻게 연결되는지도 살펴봅니다.
마지막으로 CXMT의 기존 D램 양산 성과와 생산 확대가 한국 메모리 산업에 갖는 의미를 이야기합니다.

Written by 패치
Edited by 이진이

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