TSMC보다 2년 빠르게 도입하는 삼성? High-NA EUV의 한계와 두 회사의 서로 다른 계산

삼성전자가 ASML과 함께 기존 6인치 포토마스크를 12인치급으로 키우는 개발에 나섰습니다.
반도체 회로는 점점 작아지는데, 왜 회로의 원본인 마스크는 오히려 커져야 할까요?
이번 영상에서는 High-NA EUV가 기존 EUV보다 더 미세한 회로를 찍으면서도, 한 번에 노광할 수 있는 영역은 절반으로 줄어드는 이유를 살펴봤습니다.
기존 노광 영역인 약 858㎟가 엔비디아 A100과 H100 같은 대형 GPU의 크기와 어떻게 연결되는지도 설명합니다.
High-NA에서는 이 영역이 약 429㎟로 줄면서 큰 칩을 두 번 나눠 찍는 스티칭이 필요해질 수 있습니다.
스티칭 과정에서 배선 위치와 노광량을 맞추는 일이 왜 어려운지, 12인치급 대형 마스크가 이 문제를 어떻게 줄일 수 있는지도 다뤘습니다.
삼성이 2028년 D램에 High-NA를 먼저 적용하려는 이유와 SK하이닉스의 준비 상황도 비교했습니다.
한동안 High-NA 도입에 신중했던 TSMC가 왜 지금 대형 마스크 전환에 참여하는지, 메모리와 파운드리의 조건이 어떻게 다른지도 살펴봅니다.
High-NA를 누가 먼저 도입하느냐보다 실제 양산에서 공정 수와 비용, 생산성을 얼마나 줄일 수 있느냐가 중요해지는 이유를 영상에서 확인해보세요.
#삼성 #ASML #EUV

Written by 패치
Edited by 이진이

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